产品特性:薄膜电容 | 应用范围:保护 | 种类:B32676G4156K000 |
品牌:EPCOS/爱普科斯 | 型号:B32676G4156K000 | 绕线形式:B32676G4156K000 |
封装形式:B32676G4156K000 | 导磁体性质:B32676G4156K000 | 磁芯形状:B32676G4156K000 |
工作频率:B32676G4156K000 | 安装方式:B32676G4156K000 | 骨架材料:B32676G4156K000 |
品质因数Q:B32676G4156K000 | 电感量:B32676G4156K000 | 允许误差:B32676G4156K000 |
感抗XL:B32676G4156K000Ω | 额定电流:B32676G4156K000mA | 分布电容:B32676G4156K000F |
标称电压:B32676G4156K000V | 最小包装数:B32676G4156K000 | 物料编号:B32676G4156K000 |
应用领域:电工电气 |